Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1–4) $\cdot$ 10$^{19}$ e/cm$^{2}$ $\cdot$ s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5–45 nm и плотностью 1.4 $\cdot$ 10$^{11}$ cm$^{-2}$, а также пор и выделений новой фазы с размерами $\le$ 10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO$_{2}$.