|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12, страницы 2380–2383
(Mi ftt9746)
|
|
|
|
Механические свойства, физика прочности и пластичность
Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV
Ю. Ю. Логиновa, А. В. Брильковb, А. В. Мозжеринb a Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева
b Сибирский федеральный университет, г. Красноярск
Аннотация:
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1–4) $\cdot$ 10$^{19}$ e/cm$^{2}$ $\cdot$ s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5–45 nm и плотностью 1.4 $\cdot$ 10$^{11}$ cm$^{-2}$, а также пор и выделений новой фазы с размерами $\le$ 10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO$_{2}$.
Поступила в редакцию: 01.03.2016
Образец цитирования:
Ю. Ю. Логинов, А. В. Брильков, А. В. Мозжерин, “Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2380–2383; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2468–2471
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9746 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i12/p2380
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 4 |
|