Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 1987, том 29, выпуск 3, страницы 710–714 (Mi ftt972)  
Особенности диэлектрического экранирования в бесщелевом полупроводнике

Ю. Г. Рубо, В. И. Шека

Институт полупроводников АН УССР
PDF полного текста (515 kB)
Аннотация: В приближении случайных фаз рассчитана пространственная дисперсия диэлектрической проницаемости бесщелевого полупроводника при конечных температурах с последовательным учетом матричного характера гамильтониана. Полученные формулы качественно отличаются от имеющихся в литературе.
Поступила в редакцию: 14.08.1986
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 537.226.2
Образец цитирования: Ю. Г. Рубо, В. И. Шека, “Особенности диэлектрического экранирования в бесщелевом полупроводнике”, Физика твердого тела, 29:3 (1987), 710–714
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RubShe87}
\by Ю.~Г.~Рубо, В.~И.~Шека
\paper Особенности диэлектрического экранирования в~бесщелевом полупроводнике
\jour Физика твердого тела
\yr 1987
\vol 29
\issue 3
\pages 710--714
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt972}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt972
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v29/i3/p710
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025