Влияние термообработки на структуру и термоэлектрические свойства тонких пленок Sb$_{0.9}$Bi$_{1.1}$Te$_{2.9}$Se$_{0.1}$ и композитов на их основе

Исследовано влияние отжигов в вакууме на термоэлектрические свойства тонких пленок твердого раствора Sb$_{0.9}$Bi$_{1.1}$Te$_{2.9}$Se$_{0.1}$ и композитов Sb$_{0.9}$Bi$_{1.1}$Te$_{2.9}$Se$_{0.1}$–С с различным содержанием углерода, полученных методом ионно-лучевого напыления в атмосфере аргона. Установлено, что удельное электрическое сопротивление и термоэдс нанокомпозитов Sb$_{0.9}$Bi$_{1.1}$Te$_{2.9}$Se$_{0.1}$–С зависят не только от концентрации углерода, но также от типа и концентрации собственных точечных дефектов твердого раствора Sb$_{0.9}$Bi$_{1.1}$Te$_{2.9}$Se$_{0.1}$, определяющих тип проводимости гранул Sb$_{0.9}$Bi$_{1.1}$Te$_{2.9}$Se$_{0.1}$. Как для пленок твердого раствора Sb$_{0.9}$Bi$_{1.1}$Te$_{2.9}$Se$_{0.1}$, так и для пленок композитов Sb$_{0.9}$Bi$_{1.1}$Te$_{2.9}$Se$_{0.1}$–С проведены оценки фактора мощности, которые показали значения, сопоставимые с величинами для наноструктурных материалов на основе твердых растворов (Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$.