Спектроскопия резонансного возбуждения экситонной люминесценции твердых растворов GaSe–GaTe

Исследованы спектры возбуждения люминесценции локализованных экситонов в твердых растворах GaSe$_{0.85}$Te$_{0.15}$ при $T$ = 2 K. Показано, что в спектрах возбуждения экситонов с энергией локализации $\varepsilon>$ 10 mV возникает дополнительный максимум $M_{E}$, расположенный с низкоэнергетической стороны от максимума, соответствующего полосе поглощения свободного экситона с $n$ = 1. Установлено, что сдвиг положения максимума $M_{E}$ в спектре возбуждения относительно энергии детектируемых фотонов увеличивается по мере уменьшения энергии детектируемых фотонов, то есть с увеличением энергии локализации экситонов. При резонансном возбуждении локализованных экситонов монохроматическим светом из области полосы экситонного излучения в спектре экситонной люминесценции с низкоэнергетической стороны от линии возбуждения также наблюдается максимум излучения ($M_{L}$). Энергетическое расстояние между положением возбуждающей линии и положением максимума в спектре излучения увеличивается по мере уменьшения частоты возбуждающего света. Рассматриваются возможные механизм появления описанной структуры спектров возбуждения и экситонной люминесценции в GaSe$_{0.85}$Te$_{0.15}$. Сделан вывод, что максимумы $M_{E}$ в спектре возбуждения и $M_{L}$ в спектре излучения обусловлены электронно-колебательными переходами с рождением и аннигиляцией локализованных экситонов соответственно.