Об оценках смещения $G$-пика рамановского спектра эпитаксиального графена

В модели двух связанных осцилляторов рассмотрено смещение частоты рамановского пика $G$ эпитаксиального графена вследствие взаимодействия с подложкой, описываемого эффективной силовой константой связи $k$. Показано, что относительный сдвиг $G$-пика $\Delta\omega(G)/\omega(G)\propto k/k_{0g}$, где $k_{0g}$ – силовая константа центрального взаимодействия однослойного графена. На основании предположения, что $k\propto P$ и $k\propto -T$ (где $P$ и $T$ – давление и температура) и что именно изменение $k$ является доминирующим, дано качественное объяснение экспериментальных зависимостей $\Delta\omega(G)$ от $P$ и $T$. Кратко обсуждается влияние подложки на уширение $G$-пика эпитаксиального графена.