Аннотация:
На основе результатов расчетов электронной зонной структуры полупроводников Sb2Te3, Ge, Te и полуметалла Sb, выполненных методом функционала электронной плотности, найдены параметры критических точек в распределении электронной плотности (максимумов, минимумов и седловых точек) в кристаллической решетке вышеуказанных веществ. Полученные данные использованы для анализа природы химической связи в Sb2Te3.
Образец цитирования:
В. Г. Орлов, Г. С. Сергеев, “Особенности распределения электронной плотности в теллуриде сурьмы Sb2Te3”, Физика твердого тела, 59:7 (2017), 1278–1285; Phys. Solid State, 59:7 (2017), 1302–1309