|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Полупроводники
Особенности распределения электронной плотности в теллуриде сурьмы Sb$_{2}$Te$_{3}$
В. Г. Орловab, Г. С. Сергеевa a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
Аннотация:
На основе результатов расчетов электронной зонной структуры полупроводников Sb$_{2}$Te$_{3}$, Ge, Te и полуметалла Sb, выполненных методом функционала электронной плотности, найдены параметры критических точек в распределении электронной плотности (максимумов, минимумов и седловых точек) в кристаллической решетке вышеуказанных веществ. Полученные данные использованы для анализа природы химической связи в Sb$_{2}$Te$_{3}$.
Поступила в редакцию: 21.12.2016
Образец цитирования:
В. Г. Орлов, Г. С. Сергеев, “Особенности распределения электронной плотности в теллуриде сурьмы Sb$_{2}$Te$_{3}$”, Физика твердого тела, 59:7 (2017), 1278–1285; Phys. Solid State, 59:7 (2017), 1302–1309
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9514 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i7/p1278
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 6 |
|