Динамика разрушения гетерогенного тела (диорита) при трении

При трении друг о друга двух образцов гетерогенного материала – диорита наблюдаются вспышки триболюминесценции. Она возникает при релаксации возбуждения свободных радикалов $\equiv$ Si-O$\bullet$, ионов Fe$^{3+}$ и захвата электронов акцепторными ловушками, образующимися при разрушении кристаллической решетки плагиоклаза. Анализ временной зависимости вспышек показал, что на трущихся поверхностях накапливаются кластеры, концентрация свободных радикалов $\equiv$ Si-O$\bullet$ и ловушек электронов в которых, по крайней мере, на порядок, чем в их окружении. Временной интервал между появлением двух последующих кластеров изменяется от 0.1 до 1 $\mu$s. Линейные размеры кластеров составляют $\sim$0.5 $\mu$m.