Аннотация:
Кристалл нитрида галлия толщиной 5 mm был выращен методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на сапфировой подложке, от которой кристалл отделился в процессе остывания. На ранней стадии был реализован трехмерный режим роста с последующей сменой на двумерный режим. В нескольких характерных областях образца исследованы спектры экситонного отражения, экситонной люминесценции и рамановского рассеяния. Анализ этих спектров и сравнение с ранее полученными данными для тонких эпитаксиальных слоев GaN с широким диапазоном легирования кремнием позволили сделать выводы о качестве кристаллической решетки в этих характерных областях образца.
Образец цитирования:
В. Ф. Агекян, Е. В. Борисов, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2392–2395; Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2418–2422
\RBibitem{AgeBorSer17}
\by В.~Ф.~Агекян, Е.~В.~Борисов, А.~Ю.~Серов, Н.~Г.~Философов
\paper Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 12
\pages 2392--2395
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9364}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.12.45237.120}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30685644}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 12
\pages 2418--2422
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417120022}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9364
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i12/p2392
Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
Ekaterina V. Dementeva, Kseniia N. Orekhova, Marina G. Mynbaeva, Maria V. Zamoryanskaya, “Estimation of point defects content in bulk GaN”, Journal of Luminescence, 245 (2022), 118779