Атомная и электронная структура реконструкций поверхности (111) в кристаллах ZnSe и CdSe

Впервые проведены первопринципные расчеты атомной и электронной структуры четырех вариантов полярных поверхностей ZnSe и CdSe (111)–(2 $\times$ 2), заканчивающихся катионом: идеальной, релаксированной, реконструированной и релаксированной после реконструкции. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком $\sim$16 $\mathring{\mathrm{A}}$. Для замыкания оборванных связей Se на противоположной стороне пленки добавлено четыре фиктивных атома водорода с зарядом 0.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводились с использованием программы QUANTUM ESPRESSO, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению атомных слоев. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний.