Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 3, страницы 515–520
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.03.45555.257
(Mi ftt9272)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Магнетизм

Магнитострикция гексагональных монокристаллов HoMnO$_{3}$ и YMnO$_{3}$

Н. С. Павловскийab, А. А. Дубровскийac, С. Е. Никитинde, С. В. Семеновab, К. Ю. Терентьевa, К. А. Шайхутдиновa

a Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
b Сибирский федеральный университет, г. Красноярск
c International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Poland
d Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Dresden, Germany
e Institut für Festkörper- und Materialphysik, Technische Universität Dresden, Germany
Аннотация: Исследована магнитострикция гексагональных монокристаллов HoMnO$_{3}$ и YMnO$_{3}$ в широком диапазоне приложенных магнитных полей до $H$ = 14 T для всех возможных комбинаций ориентации магнитного поля $H$ и магнитострикции $\Delta L/L$. Результаты измерений $\Delta L/L(H,T)$ хорошо согласуются с магнитной фазовой диаграммой монокристалла HoMnO$_{3}$, приведенной ранее другими авторами. Показано, что немонотонное поведение магнитострикции монокристалла HoMnO$_{3}$ обусловлено ионом Ho$^{3+}$, при этом магнитный момент иона Mn$^{3+}$ параллелен гексагональной оси кристалла. Аномалии, обнаруженные в магнитострикционных измерениях HoMnO$_{3}$, хорошо коррелируют с фазовой диаграммой этих соединений. Для изоструктурного монокристалла YMnO$_{3}$ с немагнитным редкоземельным ионом зависимости $\Delta L/L(H,T)$ хорошо описываются обычным квадратичным законом для широкого диапазона температур (4–100 K). Кроме того, в работе проведена качественная оценка магнитострикционного эффекта при учете влияния кристаллического электрического поля на ион гольмия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-00163
Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований, грант № 16-32-00163.
Поступила в редакцию: 04.09.2017
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2018, Volume 60, Issue 3, Pages 520–526
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783418030228
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Павловский, А. А. Дубровский, С. Е. Никитин, С. В. Семенов, К. Ю. Терентьев, К. А. Шайхутдинов, “Магнитострикция гексагональных монокристаллов HoMnO$_{3}$ и YMnO$_{3}$”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 515–520; Phys. Solid State, 60:3 (2018), 520–526
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavDouNik18}
\by Н.~С.~Павловский, А.~А.~Дубровский, С.~Е.~Никитин, С.~В.~Семенов, К.~Ю.~Терентьев, К.~А.~Шайхутдинов
\paper Магнитострикция гексагональных монокристаллов HoMnO$_{3}$ и YMnO$_{3}$
\jour Физика твердого тела
\yr 2018
\vol 60
\issue 3
\pages 515--520
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9272}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2018.03.45555.257}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739813}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2018
\vol 60
\issue 3
\pages 520--526
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783418030228}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9272
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i3/p515
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024