|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Сегнетоэлектричество
Электропроводность и барьерные свойства тонких пленок ниобата лития
С. И. Гудковa, К. Д. Баклановаa, М. В. Каменщиковa, А. В. Солнышкинab, А. Н. Беловb a Тверской государственный университет
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
Аннотация:
Методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик исследованы тонкопленочные структуры на основе LiNbO$_{3}$, сформированные различными способами: методом лазерной абляции и методом магнетронного распыления. По вольт-фарадным характеристикам определена величина потенциального барьера на интерфейсе Si–LiNbO$_{3}$ для обоих типов пленок. Анализ вольт-амперных характеристик выявил наличие в исследуемых структурах нескольких механизмов проводимости. В пленке LiNbO$_{3}$, изготовленной методом лазерной абляции, основной вклад в электропроводность дают эффект Пула–Френкеля и токи, ограниченные пространственным зарядом. В пленочной гетероструктуре, изготовленной методом магнетронного распыления, основной механизм – токи, ограниченные пространственным зарядом.
Образец цитирования:
С. И. Гудков, К. Д. Бакланова, М. В. Каменщиков, А. В. Солнышкин, А. Н. Белов, “Электропроводность и барьерные свойства тонких пленок ниобата лития”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 739–742; Phys. Solid State, 60:4 (2018), 743–746
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9239 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i4/p739
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 11 |
|