Распределение интенсивности трехволновой дифракции от дислокационных эпитаксиальных слоев в обратном пространстве

Экспериментально иссследована трехволновая дифракция рентгеновских лучей в сильнонарушенных эпитаксиальных слоях GaN и ZnO. Построены карты распределения интенсивности в обратном пространстве в координатах $q_{\theta}$ и $q_{\varphi}$ для наиболее интенсивной трехволновой комбинации (1010)/(1011) путем последовательных $\theta$ и $\varphi$-сканирования. Обнаружена нетривиальная форма $\theta$-сечений этих контуров вдали от $\varphi$-центра отражения, неодинаковая для разных образцов. Для $\theta$-кривых в центре отражения наблюдается единый пик, аппроксимируемый функцией Войта со степенным спадом интенсивности на крыльях, при этом закон спаданий (-4.5 – -5.0) заметно больше, чем для аналогичных кривых двухволновой дифракции, и не зависит от плотности и распределения дислокаций в слоях. В некоторых пленках имеет место крупноблочная структура, при этом из распределения в обратном пространстве следует, что эти блоки развернуты друг относительно друга вокруг нормали к поверхности, что заставляет предположить между ними малоугловые границы, состоящие исключительно из краевых дислокаций.