|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводники
Оптические спектры кристаллов GaSe и GaS различной толщины
В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
Исследованы спектры пропускания кристаллов GaSe и GaS различной толщины, полученные методом механического расслаивания объемных кристаллов. В тонких образцах GaSe квантово-размерные сдвиги экситонных резонансов достигают 12 meV, что близко к величине энергии связи экситона. Высокоэнергетические межзонные переходы в GaSe и GaS наблюдаются около 3.4 и 3.7 eV соответственно.
Поступила в редакцию: 18.12.2017
Образец цитирования:
В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Оптические спектры кристаллов GaSe и GaS различной толщины”, Физика твердого тела, 60:6 (2018), 1211–1213; Phys. Solid State, 60:6 (2018), 1223–1225
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9179 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i6/p1211
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 23 |
|