Сравнительное исследование латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe$_{3}$O$_{4}$/SiO$_{2}$/$n$-Si и Fe$_{3}$O$_{4}$/SiO$_{2}$/$p$-Si

Представлены результаты сравнительного исследования латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe$_{3}$O$_{4}$/SiO$_{2}$/$n$-Si и Fe$_{3}$O$_{4}$/SiO$_{2}$/$p$-Si. В обеих структурах латеральное фотонапряжение максимально вблизи измерительных контактов, но имеет противоположный знак. При смещении светового пятна от измерительных контактов оно линейно меняется в структуре Fe$_{3}$O$_{4}$/SiO$_{2}$/$n$-Si и экспоненциально затухает в структуре Fe$_{3}$O$_{4}$/SiO$_{2}$/$p$-Si. Установлено, что инверсия полярности фотонапряжения при смене типа проводимости кремния обусловлена наличием интерфейсных состояний на границе раздела SiO$_{2}$/Si. Обнаружено, что для обеих структур наблюдается экстремальная толщинная зависимость фотонапряжения с оптимальной толщиной пленки Fe$_{3}$O$_{4}\sim$ 50 nm.