Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 8, страница 1584
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.08.46251.19Gr
(Mi ftt9112)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Международная школа-семинар ''Экситоны в кристаллах и полупроводниковых наноструктурах'', посвященная 120-летию со дня рождения Е. Ф. Гросса, Санкт-Петербург 10-12 октября 2017 года
Оптические свойства

Critical dependence of the excitonic absorption in cuprous oxide on experimental parameters

J. Hecköttera, M. Freitaga, M. Aßmanna, D. Fröhlicha, M. Bayera, P. Grünwaldb, S. Scheelb

a Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, Dortmund, Germany
b Institut für Physik, Universität Rostock, Rostock, Germany
Аннотация: We study the modification of the exciton absorption in cuprous oxide by the presence of free carriers excited through above band gap excitation. Without this pumping, the absorption spectrum below the band gap consists of the yellow exciton series with principal quantum numbers up to more than $n$ = 20, depending on the temperature, changing over to an about constant, only slowly varying absorption above the gap. Careful injection of free carriers, starting from densities well below 1 $\mu$m$^{-3}$, leads to a reduction of the band gap through correlation effects. The excitons in the Rydberg regime above $n$ = 10 remain unaffected until the band gap approaches them. Then they loose oscillator strength and ultimately vanish upon crossing with the band gap.
Финансовая поддержка Номер гранта
Deutsche Forschungsgemeinschaft

Министерство образования и науки Российской Федерации 14.Z50.31.0021
We gratefully acknowledge support by the Priority Programme 1929 “Giant Interactions in Rydberg Systems”, the TRR 160 “Coherent manipulation of interacting spin excitations in tailored semiconductors”, and the SFB 652/3 “Strong correlations in the radiation field”, all funded by the Deutsche Forschungsgemeinschaft. MB also acknowledges support by the RF Government Grant N 14.Z50.31.0021.
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2018, Volume 60, Issue 8, Pages 1618–1624
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783418080097
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: J. Heckötter, M. Freitag, M. Aßmann, D. Fröhlich, M. Bayer, P. Grünwald, S. Scheel, “Critical dependence of the excitonic absorption in cuprous oxide on experimental parameters”, Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1584; Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1618–1624
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{HecFreAss18}
\by J.~Heck\"otter, M.~Freitag, M.~A{\ss}mann, D.~Fr\"ohlich, M.~Bayer, P.~Gr\"unwald, S.~Scheel
\paper Critical dependence of the excitonic absorption in cuprous oxide on experimental parameters
\jour Физика твердого тела
\yr 2018
\vol 60
\issue 8
\pages 1584
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9112}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2018.08.46251.19Gr}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269537}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2018
\vol 60
\issue 8
\pages 1618--1624
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783418080097}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9112
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i8/p1584
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024