|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
Полупроводники
Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия
А. В. Кособуцкийa, С. Ю. Саркисовb a Кемеровский государственный университет
b Национальный исследовательский Томский государственный университет
Аннотация:
С использованием методов теории функционала плотности выполнены расчеты электронной зонной структуры слоистого полупроводника GaTe гексагональной модификации. Структурные параметры объемного кристалла с симметрией $\beta$-политипа определены с учетом ван-дер-ваальсовых взаимодействий и согласуются с экспериментальными данными для поликристаллических пленок в пределах 2%. Получены оценки положения экстремумов верхней валентной зоны и нижней зоны проводимости относительно уровня вакуума для объемного $\beta$-GaTe и для ультратонких пластин с числом элементарных слоев от 1 до 10, что соответствует диапазону толщины 0.5–8 nm. Расчеты показывают, что гексагональный GaTe является непрямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны, варьирующейся от 0.8 eV в объемном материале до 2.3 eV в монослое.
Поступила в редакцию: 28.02.2018
Образец цитирования:
А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов, “Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия”, Физика твердого тела, 60:9 (2018), 1645–1649; Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1686–1690
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9064 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i9/p1645
|
|