Сверхпроводящие свойства In, наноструктурированного в порах тонких пленок из микросфер SiO$_{2}$

Впервые получены образцы сверхпроводящего индиевого нанокомпозита на основе тонкопленочной пористой диэлектрической матрицы, приготовленной методом Лэнгмюра–Блоджетт, изучены их низкотемпературные электрофизические и магнитные свойства. Пленки толщиной $b\le$ 5 $\mu$m изготавливались из сфер оксида кремния диаметром $D$ = 200 nm и 250 nm, индий вводился в поры пленок из расплава под давлением $P\le$ 5 kbar. Таким образом в порах создавалась трехмерная слабоупорядоченная структура наногранул индия, образующая сплошную токопроводящую сеть. Измерения температурных и магнитополевых зависимостей сопротивления и магнитного момента образцов показали рост критических параметров сверхпроводящего состояния наноструктурированного индия (критическая температура $T_{c}\le$ 3.62 K и критическое магнитное поле H$_{c}$ при $T$ = 0 K $H_{с}(0)\le$ 1700 Oe) относительно массивного материала ($T_{c}$ = 3.41 K, $H_{c}(0)$ = 280 Oe). В зависимостях сопротивления от температуры и магнитного поля наблюдался ступенчатый переход в сверхпроводящее состояние, связанный со структурой нанокомпозита. В зависимости магнитного момента $M$ нанокомпозита от магнитного поля при $T<T_{c}$ наблюдается ярко выраженный гистерезис $M(H)$, обусловленный многосвязной структурой токопроводящей индиевой сетки. Полученные результаты интерпретированы с учетом размерной зависимости сверхпроводящих характеристик нанокомпозита.