|
Физика твердого тела, 1987, том 29, выпуск 2, страницы 393–399
(Mi ftt903)
|
|
|
|
Тепловые импульсы при оптическом возбуждении неравновесных акустических фононов в тонких слоях кремния
А. С. Алексеев, М. М. Бонч-Осмоловский, И. Ю. Веркялис, Т. И. Галкина, Д. П. Уткин-Эдин Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, г. Москва
Аннотация:
Методикой тепловых импульсов [1] при оптическом возбуждении исследовались тонкие слои Si, полученные на [111] подложке кристаллического чистого Si ($c{-}$Si). Обнаружено, что в широком интервале уровней оптического возбуждения форма фононного импульса практически неизменна, что свидетельствует о том, что до детектора значительная часть фононов доходит в виде низкочастотных фононов с длиной свободного пробега 1 см. Обнаружено, что в отличие от слоя аморфного Si, ионно-легированного Si и поверхности $c{-}$Si, при возбуждении слоя легированного эпитаксиального Si до детектора доходят в основном поперечные фононы. Обсуждаются особенности процессов релаксации фононов, влияющие на форму фононных импульсов.
Поступила в редакцию: 03.07.1986
Образец цитирования:
А. С. Алексеев, М. М. Бонч-Осмоловский, И. Ю. Веркялис, Т. И. Галкина, Д. П. Уткин-Эдин, “Тепловые импульсы при оптическом возбуждении неравновесных акустических фононов в тонких слоях кремния”, Физика твердого тела, 29:2 (1987), 393–399
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt903 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v29/i2/p393
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 75 | PDF полного текста: | 37 |
|