Спектры Мандельштама–Бриллюэна при акустоэлектронном взаимодействии в монокристаллах CdS

Методом спектроскопии Мандельштама–Бриллюэна (МБ) света, рассеянного в кристалле CdS, исследована зависимость интенсивности поперечных пьезоактивных дебаевских волн как от величины внешнего электрического поля, приложенного к образцу, так и от расстояния рассеивающего объема от катодного электрода кристалла.
Найдена зависимость коэффициента усиления дебаевских волн частоты 800 МГц от напряженности поля при различных значениях электропроводности кристалла. Определены коэффициенты усиления дебаевских волн в интервале частот от 200 до 800 МГц при изменении напряженности внешнего электрического поля от 700 до 1300 В/см при неизменной электропроводности кристалла.
Коэффициент усиления звука в слабых полях имеет максимум при частоте ${f_{M}=v/2\pi R}$ ($v$ — скорость звука, $R$ — радиус Дебая), а в сильных электрических полях появляется дополнительный максимум усиления на частоте, близкой к $2f_{M}$.