О возможных состояниях кристаллической структуры, предшествующих фазовому переходу в кристаллах Zn$_{1-x}$V$_{x}$Se (0.01 $\le x\le$ 0.10)

В результате подробного нейтронографического исследования объемных полупроводниковых кристаллов ZnSe с повышенным содержанием ванадия, охарактеризованы проявившиеся систематические новые образования в обратной решетке кубической структурной модификации соединения II–VI. Впервые получены прямые доказательства того, что обнаруживаемые нейтронным рассеянием на исследованных кристаллах дополнительные узлы $k$ = (1/3 1/3 1/3) 2$\pi/a$ ($k$ – волновой вектор, $a$ – параметр кубической элементарной ячейки) в случае их принадлежности к взаимопроникающим повернутым подрешеткам содержат сверхструктурный вклад, формируемый коротковолновыми деформациями. Определяя описанное структурное состояние кристаллов как предпереходное к концентрационной фазовой трансформации ГЦК – ГПУ, и рассматривая переходы по звезде волнового вектора $k_{5}$ ГЦК-решетки, для перехода по однолучевому каналу указаны базисные функции, позволяющие анализировать атомные смещения, корреляции между которыми порождают сверхструктуры дисторсионного типа.