|
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)
Системы низкой размерности
Компьютерное моделирование структуры и механических свойств слоев силицена на графите при движении иона лития
А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина Институт высокотемпературной электрохимии УРО РАН, Екатеринбург, Россия
Аннотация:
Методом молекулярной динамики исследованы структурные и механические эффекты, появляющиеся при движении иона лития в постоянном электрическом поле по плоскому каналу, образованному совершенными листами силицена и листами, содержащими дефекты вакансионного типа. Моно-, би-, три- и гексавакансии достаточно плотно и равномерно заполняли листы силицена, размещенные один над другим на графитовой подложке. Определены времена прохождения ионом Li$^{+}$ силиценовых каналов, имеющих различные зазоры. Построение многогранников Вороного и усеченных многогранников, центры которых совпадают с положением движущегося иона, позволило выявить структурные особенности, присущие двумерной слоистой структуре. Установлен характер появляющихся в листах силицена напряжений, наиболее критичных к перемещению иона по каналу.
Поступила в редакцию: 28.05.2018
Образец цитирования:
А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина, “Компьютерное моделирование структуры и механических свойств слоев силицена на графите при движении иона лития”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 365–375; Phys. Solid State, 61:2 (2019), 233–243
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8930 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i2/p365
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 10 |
|