Аннотация:
Исследованы спектры экситонной люминесценции гетероструктур CdTe/ZnTe, содержащих два тонких слоя CdTe, разделенных барьерами различной толщины. Сложная температурная зависимость интенсивности люминесценции из этих слоев при подбарьерном и надбарьерном способах ее возбуждения позволяет сделать выводы о влиянии толщины барьеров на перенос энергии между слоями CdTe и наблюдать при определенных значениях температуры реализацию возбуждения резонансного типа. Зависимость формы контуров экситонного излучения от уровня возбуждения дает сведения о реальной структуре слоев CdTe толщиной 1.5 и 4.0 монослоя.
Образец цитирования:
В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, В. А. Сокольников, Н. Г. Философов, G. Karczewski, “Экситонное излучение гетероструктур CdTe/ZnTe с двойными ультратонкими узкозонными слоями”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 545–548; Phys. Solid State, 61:3 (2019), 414–417
Masaaki Imamura, Daisuke Tashima, Jiro Kitagawa, Hironori Asada, “Magneto-optical properties of wider gap semiconductors ZnMnTe and ZnMnSe films prepared by MBE”, Journal of Electronic Science and Technology, 18:3 (2020), 100056