Аннотация:
Исследована кинетика близкраевой фотолюминесценции (ФЛ) в нанометровых пленках ZnO, полученных методом слоевого наслаивания (ALD). Установлено, что кинетика близкраевой ФЛ в 4-nm пленках в большой степени определяется поверхностными 2D-экситонными (SX) и биэкситонными (SXX) комплексами. Вклад поверхностных биэкситонов оценивается на основе фотостимулированного изменения поверхностного потенциала в пленках ZnO различной толщины. Обнаружена ультрабыстрая динамика поверхностных биэкситонов в тонких пленках. Показано, что биэкситоны, локализованные вблизи поверхности, имеют самое короткое излучательное время жизни (менее 100 ps) из всех связанных экситонных комплексов, что объясняется большой силой осциллятора.
Образец цитирования:
И. Х. Акопян, М. Э. Лабзовская, Б. В. Новиков, V. G. Talalaev, J. W. Tomm, J. Schilling, “Кинетика излучения поверхностных (би) экситонов в тонких пленках ZnO”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 533–538; Phys. Solid State, 61:3 (2019), 402–407
Svetlana Kadinskaya, Valeriy Kondratev, Ivan Kindyushov, Olga Koval, Dmitry Yakubovsky, Alexey Kusnetsov, Alexey Lihachev, Alexey Nashchekin, Irina Akopyan, Alexey Serov, Mariana Labzovskaya, Sergey Mikushev, Boris Novikov, Igor Shtrom, Alexey Bolshakov, “Deep-Level Emission Tailoring in ZnO Nanostructures Grown via Hydrothermal Synthesis”, Nanomaterials, 13:1 (2022), 58
И. Х. Акопян, М. Э. Лабзовская, Б. В. Новиков, А. Ю. Серов, “Природа стимулированного излучения ZnO в широком температурном интервале”, Физика твердого тела, 63:12 (2021), 2157–2161; I. Kh. Akopyan, M. È. Labzovskaya, B. V. Novikov, A. Yu. Serov, “On the nature of stimulated emission in ZnO in a wide temperature range”, Phys. Solid State, 64:1 (2022), 1–5
C.L. Heng, C.N. Zhao, L. Zhang, W. Xiang, W.Y. Su, H.X. Yin, Y.K. Gao, P.G. Yin, T.G. Finstad, “Effects of Yb doping on the structure and near band-edge emission of ZnO thin films on Si after high temperature annealing”, Journal of Luminescence, 222 (2020), 117153