|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Примесные центры
Рассеяние электронов дефектами малого радиуса и сопротивление графена
Н. Е. Фирсоваab, С. А. Ктиторовac a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Рассмотрено рассеяние электронов короткодействующими дефектами в плоском монослойном графене. Использована аппроксимация этого взаимодействия дельтаобразным потенциалом, сосредоточенным на окружности малого радиуса, что обеспечивает подавление нефизических коротковолновых мод. Проанализирован вклад этого рассеяния в сопротивление графена. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с экспериментом на подвешенном отожженном монослойном графене. Это дает возможность определения параметров аппроксимирующего потенциала на основе экспериментальных данных о сопротивлении графена, что важно для приложений.
Поступила в редакцию: 26.11.2018 Исправленный вариант: 26.11.2018 Принята в печать: 28.11.2018
Образец цитирования:
Н. Е. Фирсова, С. А. Ктиторов, “Рассеяние электронов дефектами малого радиуса и сопротивление графена”, Физика твердого тела, 61:4 (2019), 732–736; Phys. Solid State, 61:4 (2019), 609–613
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8861 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i4/p732
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 53 | PDF полного текста: | 21 |
|