Аннотация:
В тонких пленках GaMnSb с нановключениями MnSb, полученных методом импульсного лазерного осаждения, наблюдается температурноконтролируемое увеличение магнитной анизотропии и ее дисперсии. Данные просвечивающей электронной микроскопии указывают на то, что в образцах происходит переход кристаллической структуры магнитных нановключений MnSb из гексагональной (п. г. P63/mmc) в кубическую (п. г. F−43m). Анализ температурных зависимостей магнитного момента m(T), измеренных с помощью СКВИД-магнитометра, для неотожженных и отожженных образцов, охлажденных в нулевом магнитном поле и магнитном поле напряженностью 10 kOe, указывает на то, что этот механизм не является единственным. В неотожженных образцах распределение магнитной анизотропии нановключений MnSb, определенное из зависимостей m(T), является унимодальным. В отожженных образцах эта же зависимость становится мультимодальной. Это означает, что в образцах при отжиге протекают несколько термоактивированных процессов, приводящих к тому, что в отожженных тонких пленках присутствуют несколько “популяций” нановключений. Вклад в увеличение магнитной анизотропии при отжиге могут давать как структурный фазовый переход, так и рассогласование кристаллических решеток между MnSb и GaSb, увеличение среднего объема нановключений MnSb, а также изменение их стехиометрии.
Работа выполнена по теме государственного задания 0089-2019-0011 с использованием оборудования Аналитического центра коллективного пользования ИПХФ РАН, а также при поддержке Министерства образования и науки РФ
(№ 16.2814.2017/ПЧ) и РФФИ (№ 17-02-00262, 15-07-03580). В части осаждения тонких пленок GaMnSb работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках государственного задания ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН (соглашение № 007-Г3/Ч3363/26).
Поступила в редакцию: 08.11.2018 Исправленный вариант: 08.11.2018 Принята в печать: 08.11.2018
Образец цитирования:
А. И. Дмитриев, А. В. Кочура, А. П. Кузьменко, Л. С. Паршина, О. А. Новодворский, О. Д. Храмова, Е. П. Кочура, А. Л. Васильев, Б. А. Аронзон, “Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb”, Физика твердого тела, 61:4 (2019), 652–658; Phys. Solid State, 61:4 (2019), 523–529
\RBibitem{DmiKocKuz19}
\by А.~И.~Дмитриев, А.~В.~Кочура, А.~П.~Кузьменко, Л.~С.~Паршина, О.~А.~Новодворский, О.~Д.~Храмова, Е.~П.~Кочура, А.~Л.~Васильев, Б.~А.~Аронзон
\paper Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 4
\pages 652--658
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8847}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.04.47407.310}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37645606}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 4
\pages 523--529
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783419040073}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8847
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i4/p652
Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
I. Kh. Mammadov, K. I. Yanushkevich, D. G. Arasly, R. N. Rahimov, A. A. Khalilova, A. V. Aplevich, A. I. Galyas, “Magnetic Characteristics of a GaSb–Fe3Ga4 Eutectic Composite”, Inorg Mater, 57:8 (2021), 767
А. И. Дмитриев, А. В. Кочура, А. П. Кузьменко, Л. С. Паршина, О. А. Новодворский, О. Д. Храмова, Е. П. Кочура, А. Л. Васильев, Е. И. Нехаева, Б. А. Аронзон, “Влияние температур роста и постростового отжига на магнитные свойства наночастиц Mn1+xSb, внедренных в тонкие пленки GaSb”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 203–207; A. I. Dmitriev, A. V. Kochura, A. P. Kuz'menko, L. S. Parshina, O. A. Novodvorskii, O. D. Khramova, E. P. Kochura, A. L. Vasil'ev, E. I. Nekhaeva, B. A. Aronzon, “Effect of growth temperature and postgrowth annealing on magnetic properties of Mn1+xSb nanoparticles embedded in GaSb thin films”, Phys. Solid State, 62:2 (2020), 241–245