|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводники
Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb
А. И. Дмитриевab, А. В. Кочураc, А. П. Кузьменкоc, Л. С. Паршинаd, О. А. Новодворскийd, О. Д. Храмоваd, Е. П. Кочураc, А. Л. Васильевe, Б. А. Аронзонef a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Российский университет транспорта (МИИТ), Москва, Россия
c Юго-Западный государственный университет, г. Курск
d Институт проблем лазерных и информационных технологий, филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН,
Шатура, Россия
e Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
f Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
В тонких пленках GaMnSb с нановключениями MnSb, полученных методом импульсного лазерного осаждения, наблюдается температурноконтролируемое увеличение магнитной анизотропии и ее дисперсии. Данные просвечивающей электронной микроскопии указывают на то, что в образцах происходит переход кристаллической структуры магнитных нановключений MnSb из гексагональной (п. г. $P6_{3}/mmc$) в кубическую (п. г. $F-43m$). Анализ температурных зависимостей магнитного момента $m(T)$, измеренных с помощью СКВИД-магнитометра, для неотожженных и отожженных образцов, охлажденных в нулевом магнитном поле и магнитном поле напряженностью 10 kOe, указывает на то, что этот механизм не является единственным. В неотожженных образцах распределение магнитной анизотропии нановключений MnSb, определенное из зависимостей $m(T)$, является унимодальным. В отожженных образцах эта же зависимость становится мультимодальной. Это означает, что в образцах при отжиге протекают несколько термоактивированных процессов, приводящих к тому, что в отожженных тонких пленках присутствуют несколько “популяций” нановключений. Вклад в увеличение магнитной анизотропии при отжиге могут давать как структурный фазовый переход, так и рассогласование кристаллических решеток между MnSb и GaSb, увеличение среднего объема нановключений MnSb, а также изменение их стехиометрии.
Поступила в редакцию: 08.11.2018 Исправленный вариант: 08.11.2018 Принята в печать: 08.11.2018
Образец цитирования:
А. И. Дмитриев, А. В. Кочура, А. П. Кузьменко, Л. С. Паршина, О. А. Новодворский, О. Д. Храмова, Е. П. Кочура, А. Л. Васильев, Б. А. Аронзон, “Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb”, Физика твердого тела, 61:4 (2019), 652–658; Phys. Solid State, 61:4 (2019), 523–529
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8847 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i4/p652
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 11 |
|