Циклотронный параметрический резонанс в «грязных» полупроводниках при неупругом рассеянии электронов на оптических фононах

Построена теория циклотронной параметрической неустойчивости в полупроводниках с учетом ее стабилизации неупругим рассеянием электронов на оптических фононах. Показано, что в полупроводнике при циклотронном параметрическом резонансе (ЦПР) возникает резко анизотропное неравновесное распределение электронов. Получена функция распределения при ЦПР в «грязном» пределе при малой длине свободного пробега и в «чистом» пределе, когда реализуется квазибаллистический режим. Найдено поглощение внешнего сигнала и показано, что это поглощение может быть отрицательным. Численные оценки показывают реалистичность экспериментального обнаружения предсказанных явлений.