Дефектонный вклад в высокотемпературную сверхпроводимость гидридов

Высокое давление в сотни гигапаскалей, необходимое для получения высокотемпературных сверхпроводящих фаз ряда гидридов, вызывает сжатие кристаллической решетки, что, в свою очередь, ведет к экспоненциальному росту вероятности туннелирования атома водорода между эквивалентными междоузлиями. При низких температурах вакансии в заполненной при стехиометрии подрешетке водорода и атомы водорода в полностью свободной при стехиометрии подрешетке междоузлий являются квантовыми дефектами – дефектонами. Получена оценка вклада дефектонов в сверхпроводимость гидридов и показано, что он может быть существенным как в случае свободных дефектонов, так и в случае дефектонов, кластеризовавшихся с образованием двухуровневых систем.