Особенности формирования электронной структуры при синтезе соединений Ti$_{2}$AlC, Ti$_{2}$AlN, Ti$_{2}$SiC и Ti$_{2}$SiN

Методами теории функционала плотности и псевдопотенциалов исследована электронная структура и полная энергия соединений Ti$_{2}$AlC, Ti$_{2}$AlN, Ti$_{2}$SiC и Ti$_{2}$SiN. Построены кривые плотности электронных состояний для кристаллических систем и для систем, отличающихся по степени упорядоченности. Показано, что даже в полностью неупорядоченных системах наблюдается качественное сходство электронной структуры с электронной структурой соответствующих кристаллических соединений. По мере упорядочения это сходство еще более усиливается. Полная энергия изученных систем растет с увеличением разупорядоченности примерно одинаковым образом для всех изученных систем, за исключением Ti$_{2}$SiC. В последнем случае она оказывается гораздо более чувствительна к степени разупорядочения, что, по-видимому, объясняется большей ролью ковалентной составляющей межатомных связей.