|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Физика поверхности, тонкие пленки
Impurity effects on nucleation and growth of SiC clusters and layers on Si(100) and Si(111)
J. Pezoldta, M. N. Lubovb, V. S. Kharlamovc a Institut für Mikro- und Nanotechnologien, Technische Universität Ilmenau, Ilmenau, Germany
b Saint Petersburg Academic University, St. Petersburg, Russian Federation
c A.F. Ioffe Physical-Technical Institute of RAS, St. Petersburg, Russian Federation
Аннотация:
A kinetic Monte Carlo model of silicon carbide growth on silicon surface is proposed. Based on this model, the growth of silicon carbide clusters on silicon in the presence of a pre-deposited impurity of various types: attractive and repulsive, is studied. The density of silicon carbide clusters on silicon is calculated. Calculations of the dependencies of the silicon carbide clusters density on the impurity mobility are carried out. The process of redistribution of the species in the multi-component C|Ge|Si structure during annealing is studied in the framework of the kinetic approach. Concentration profiles of the structure components are determined.
Ключевые слова:
silicon surface, silicon carbide, interface, impurity, kinetic Monte Carlo, rate equation.
Поступила в редакцию: 16.07.2019 Исправленный вариант: 16.07.2019 Принята в печать: 16.07.2019
Образец цитирования:
J. Pezoldt, M. N. Lubov, V. S. Kharlamov, “Impurity effects on nucleation and growth of SiC clusters and layers on Si(100) and Si(111)”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2446; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2468–2472
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8591 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i12/p2446
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 13 |
|