Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 12, страница 2446 (Mi ftt8591)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Физика поверхности, тонкие пленки

Impurity effects on nucleation and growth of SiC clusters and layers on Si(100) and Si(111)

J. Pezoldta, M. N. Lubovb, V. S. Kharlamovc

a Institut für Mikro- und Nanotechnologien, Technische Universität Ilmenau, Ilmenau, Germany
b Saint Petersburg Academic University, St. Petersburg, Russian Federation
c A.F. Ioffe Physical-Technical Institute of RAS, St. Petersburg, Russian Federation
Аннотация: A kinetic Monte Carlo model of silicon carbide growth on silicon surface is proposed. Based on this model, the growth of silicon carbide clusters on silicon in the presence of a pre-deposited impurity of various types: attractive and repulsive, is studied. The density of silicon carbide clusters on silicon is calculated. Calculations of the dependencies of the silicon carbide clusters density on the impurity mobility are carried out. The process of redistribution of the species in the multi-component C|Ge|Si structure during annealing is studied in the framework of the kinetic approach. Concentration profiles of the structure components are determined.
Ключевые слова: silicon surface, silicon carbide, interface, impurity, kinetic Monte Carlo, rate equation.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.9789.2017/БЧ
German Academic Exchange Service (DAAD) 57435564
The contribution of M.N. Lubov was done within the framework of the state task of the Ministry of Education and Science of Russia (no. 16.9789.2017/BCh). J. Pezoldt, M.N. Lubov, and V.S. Kharlamov acknowledge support of this research by DAAD under grant no. 57435564.
Поступила в редакцию: 16.07.2019
Исправленный вариант: 16.07.2019
Принята в печать: 16.07.2019
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2019, Volume 61, Issue 12, Pages 2468–2472
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783419120382
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: J. Pezoldt, M. N. Lubov, V. S. Kharlamov, “Impurity effects on nucleation and growth of SiC clusters and layers on Si(100) and Si(111)”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2446; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2468–2472
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PezLubKha19}
\by J.~Pezoldt, M.~N.~Lubov, V.~S.~Kharlamov
\paper Impurity effects on nucleation and growth of SiC clusters and layers on Si(100) and Si(111)
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 12
\pages 2446
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8591}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571152}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 12
\pages 2468--2472
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783419120382}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8591
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i12/p2446
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024