Феноменологические модели зарождения и роста металла на полупроводнике

На основе экспериментальных данных, полученных в одинаковых экспериментальных условиях с использованием метода осаждения из горячей стенки, обнаружены и выделены четыре режима роста металла на полупроводниковой подложке. Данные режимы реализуются при определенных соотношениях между поступательной кинетической энергией пара, осаждаемого на подложку, и его температурой. Предложен механизм адаптации к подложке нанофазного смачивающего покрытия металла, когда реализуется режим роста чистого металла, и структурная модель этого покрытия.