Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 12, страница 2333 (Mi ftt8561)  
Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Полупроводники

GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography

S. N. Rodina, V. V. Lundina, A. F. Tsatsul'nikovb, A. V. Sakharova, S. O. Usovb, M. I. Mitrofanova, I. V. Levitskiia, V. P. Evtikhieva, M. A. Kaliteevskic

a Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia
b Research and Engineering Center on Submicron Heterostructures for Microelectronics, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
c ITMO University, St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (24 kB)
Аннотация: A significant difference in the growth mechanism of spatially closed structures of gallium nitride during selective growth in submicron windows with and without penetration into the GaN sublayer was demonstrated. The mechanisms of generation and development of dislocations, their role in the formation of self-organizing coaxial structures were modeled.
Ключевые слова: selective epitaxy, dislocations in GaN, self-organized coaxial structure, MOCVD, FIB.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.3194.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-01099-a
In detail of measurement, this work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (project no. 3.3194.2017/4.6).
In terms of epitaxial growth studies this work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 17-02-01099-a).
Поступила в редакцию: 16.07.2019
Исправленный вариант: 16.07.2019
Принята в печать: 24.07.2019
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2019, Volume 61, Issue 12, Pages 2335–2337
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378341912045X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski, “GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2333; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2335–2337
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RodLunTsa19}
\by S.~N.~Rodin, V.~V.~Lundin, A.~F.~Tsatsul'nikov, A.~V.~Sakharov, S.~O.~Usov, M.~I.~Mitrofanov, I.~V.~Levitskii, V.~P.~Evtikhiev, M.~A.~Kaliteevski
\paper GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 12
\pages 2333
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8561}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571121}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 12
\pages 2335--2337
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378341912045X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8561
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i12/p2333
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024