|
Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 1, страница 90
(Mi ftt8524)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводники
Anisotropic carrier transport in $n$-doped 6$H$-SiC
R. T. Ferraciolia, C. G. Rodriguesa, R. Luzzib a School of Exact Sciences and Computing, Pontifical Catholic University,
Goiás, Brazil
b Condensed Matter Physics Department, Institute of Physics "Gleb Wataghin", Campinas, Brazil
Аннотация:
In this paper, a study is presented on the charge transport in n-type doped semiconductor 6$H$-SiC (in both transient and steady state) using a Non-Equilibrium Quantum Kinetic Theory derived from the method of Nonequilibrium Statistical Operator (NSO), which furnishes a clear description of the irreversible phenomena that occur in the evolution of the analyzed system. We obtain theoretically the dependence on the electric field (applied in the orientation perpendicular or parallel to the $c$-axis) of the basic macrovariables: the “electron drift velocity” and the “non-equilibrium temperature”. The “peak points” in time evolution of this macrovariables are derived and analyzed.
Ключевые слова:
semiconductors, 6$H$-SiC, charge transport, drift velocity.
Поступила в редакцию: 11.07.2019 Исправленный вариант: 11.07.2019 Принята в печать: 09.08.2019
Образец цитирования:
R. T. Ferracioli, C. G. Rodrigues, R. Luzzi, “Anisotropic carrier transport in $n$-doped 6$H$-SiC”, Физика твердого тела, 62:1 (2020), 90; Phys. Solid State, 62:1 (2020), 110–115
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8524 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i1/p90
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 6 |
|