|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Международная конференция "Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок", посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Полупроводники
Математическое моделирование процесса выращивания монокристалла CdTe методом Обреимова–Шубникова
М. Д. Павлюкa, Е. А. Сухановаb, М. П. Зыковаb, И. С. Волчковa, В. М. Каневскийa, И. А. Субботинc, К. М. Подурецc, Б. Ф. Павлюкd, Ю. М. Ивановe a ИК РАН, ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН,
Москва, Россия
b Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева
c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
d Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов, г. Москва
e Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН
Аннотация:
Впервые выполнено моделирование ростового процесса кристалла CdTe модифицированным методом Обреимова–Шубникова с применением техники самозатравления от начальной температуры охлаждения (1100$^\circ$C) до момента выхода на режим стационарного роста. Рассчитано движение фронта кристаллизации в процессе роста кристалла. Результаты подтверждены методом рентгеновской топографии с использованием синхротронного излучения.
Ключевые слова:
CdTe, фронт кристаллизации, термоконвективные потоки.
Поступила в редакцию: 16.07.2019 Исправленный вариант: 16.07.2019 Принята в печать: 25.07.2019
Образец цитирования:
М. Д. Павлюк, Е. А. Суханова, М. П. Зыкова, И. С. Волчков, В. М. Каневский, И. А. Субботин, К. М. Подурец, Б. Ф. Павлюк, Ю. М. Иванов, “Математическое моделирование процесса выращивания монокристалла CdTe методом Обреимова–Шубникова”, Физика твердого тела, 62:1 (2020), 5–10; Phys. Solid State, 62:1 (2020), 1–7
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8506 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i1/p5
|
|