Аннотация:
Электрохимическое осаждение кобальта на однослойный CVD-графен приводит к формированию композиционных структур Co-CoO/графен, что вызывает увеличение электросопротивления и магнетосопротивления. Показано, что магнеторезистивный эффект обусловлен двумя конкурирующими вкладами – отрицательным (ОМР) и положительным (ПМР). ОМР в малых магнитных полях описывается локализационной квантовой поправкой к проводимости Друде в графене. Усиление ПМР в сильных магнитных полях связывается с влиянием лоренцевого механизма в частицах Co-CoO.
Работа финансировалась Государственным комитетом по науке и технологиям Республики Беларусь (договор Ф18ПЛШГ-005), государственными программами научных исследований “Фотоника, опто- и микроэлектроника” (задание 3.3.01) и в рамках контракта № 08626319/182161170-74 с Объединенным институтом ядерных исследований (Россия), а также за счет гранта Российского научного фонда (проект № 19-79-30062) в части синтеза и переноса графена на подложки.
Поступила в редакцию: 17.09.2019 Исправленный вариант: 17.09.2019 Принята в печать: 24.09.2019
Образец цитирования:
Ю. А. Федотова, А. А. Харченко, А. К. Федотов, М. В. Чичков, М. Д. Малинкович, А. О. Конаков, С. А. Воробьева, Ю. В. Касюк, В. Э. Гуменник, M. Kula, M. Mitura-Nowak, А. А. Максименко, J. Przewoznik, Cz. Kapusta, “Влияние магнитных частиц Co-CoO на свойства электропереноса в однослойном графене”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 316–325; Phys. Solid State, 62:2 (2020), 368–377