Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 2, страницы 241–246
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2020.02.48875.590 (Mi ftt8493) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Магнетизм

Влияние скин-эффекта и активных потерь на интенсивность линий ЭПР в полупроводящих веществах

А. М. Зюзин, А. А. Карпеев, Н. В. Янцен

Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск
PDF полного текста (258 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2020.02.48875.590
Аннотация: Исследовано влияние скин-эффекта и активных потерь в образцах полупроводящего композита с широким диапазоном значений проводимости на интенсивность линии поглощения ЭПР. Предложен подход, позволяющий получить удовлетворительное соответствие расчетных и экспериментальных результатов. Показано, что в зависимости от проводимости исследуемого вещества, интенсивность линии поглощения, соответствующая единице объема, может в разы уменьшаться с увеличением объема исследуемого образца.
Ключевые слова: электронный парамагнитный резонанс, скин-эффект, полупроводящие вещества.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-48-130015 р_а
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Правительства Республики Мордовия в рамках научного проекта № 18-48-130015 р_а.
Поступила в редакцию: 24.09.2019
Исправленный вариант: 04.10.2019
Принята в печать: 08.10.2019
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2020, Volume 62, Issue 2, Pages 291–296
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783420020225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Зюзин, А. А. Карпеев, Н. В. Янцен, “Влияние скин-эффекта и активных потерь на интенсивность линий ЭПР в полупроводящих веществах”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 241–246; Phys. Solid State, 62:2 (2020), 291–296
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZyuKarYan20}
\by А.~М.~Зюзин, А.~А.~Карпеев, Н.~В.~Янцен
\paper Влияние скин-эффекта и активных потерь на интенсивность линий ЭПР в полупроводящих веществах
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 2
\pages 241--246
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8493}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2020.02.48875.590}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571219}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2020
\vol 62
\issue 2
\pages 291--296
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783420020225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8493
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i2/p241
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    1. M. Enterría, L. Medinilla, S.N. Faisal, Y. Zhang, J.M. López del Amo, I. Ruiz De Larramendi, L. Lezama, D.L. Officer, G.G. Wallace, N. Ortiz-Vitoriano, “Surface-controlled deposition of discharge products in Na O2 batteries using a defect-rich graphene cathode”, Sustainable Materials and Technologies, 42 (2024), e01135  crossref
    2. Dariya Savchenko, Andrii Vasin, Andrii Rusavsky, Alexei Nazarov, Jan Lančok, Ekaterina Kalabukhova, “Electron spin dynamics in sucrose-derived luminescent carbon dot-silica nanocomposites”, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 162 (2022), 110536  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:75
    PDF полного текста:56
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025