Диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO$_{2}$ на Al в THz-IR-диапазоне

Создание новых диэлектрических материалов для изолирующих слоев межсоединений с низкими потерями на высоких частотах (low-$k$) является одним из магистральных направлений современной микроэлектроники. В настоящее время проводятся исследования различных модификаций стандартных для современных интегральных схем диэлектрических структур на основе SiO$_{2}$, различающихся по составу и морфологическим характеристикам. В данной работе методами терагерцовой (THz) и IR-спектроскопии изучаются диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO$_{2}$ на Al-подложке. Обнаружены существенные отличия спектров таких структур по сравнению с объемными образцами плавленого кварца, в том числе резонансные моды Берримана.