Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения

Представлены сравнительные результаты численного моделирования и эксперимента при регистрации азимутальных угловых зависимостей сигнала второй гармоники, отраженной от структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и подложек GaAs, при нормальном падении на образец зондирующего лазерного излучения и азимутальном вращении плоскости его поляризации. По результатам исследования подложек (013) GaAs и буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs выявлено, что отклонения от ориентации поверхности (013) по кристаллофизическим углам $\Theta$ и $\phi$ составили 1–3$^\circ$ у подложек GaAs и до 8$^\circ$ у буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs, причем величину сигнала второй гармоники от буферных слоев можно считать обратно пропорциональной ширине рентгеновских кривых качания на половине максимума.
На основе экспериментальных данных показано, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости $\chi_{xyz}(\omega)$ кристаллической структуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te существенно превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs.