|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Полупроводники
Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения
М. Ф. Ступакab, Н. Н. Михайловbc, С. А. Дворецкийc, М. В. Якушевc, Д. Г. Икусовc, С. Н. Макаровa, А. Г. Елесинa, А. Г. Верхоглядa a Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Представлены сравнительные результаты численного моделирования и эксперимента при регистрации азимутальных угловых зависимостей сигнала второй гармоники, отраженной от структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и подложек GaAs, при нормальном падении на образец зондирующего лазерного излучения и азимутальном вращении плоскости его поляризации. По результатам исследования подложек (013) GaAs и буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs выявлено, что отклонения от ориентации поверхности (013) по кристаллофизическим углам $\Theta$ и $\phi$ составили 1–3$^\circ$ у подложек GaAs и до 8$^\circ$ у буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs, причем величину сигнала второй гармоники от буферных слоев можно считать обратно пропорциональной ширине рентгеновских кривых качания на половине максимума.
На основе экспериментальных данных показано, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости $\chi_{xyz}(\omega)$ кристаллической структуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te существенно превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs.
Ключевые слова:
нецентросимметричные кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, подложки GaAs, структуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te.
Поступила в редакцию: 25.09.2019 Исправленный вариант: 03.10.2019 Принята в печать: 08.10.2019
Образец цитирования:
М. Ф. Ступак, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, Д. Г. Икусов, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, А. Г. Верхогляд, “Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 214–221; Phys. Solid State, 62:2 (2020), 252–259
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8487 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i2/p214
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 13 |
|