Создание и исследования структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок

В работе исследуется влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ при формировании на кремниевые подложки $p$-типа с ориентацией [100]. Экспериментально установлено, что увеличение температуры синтеза приводит к улучшению диэлектрических и пьезоэлектрических свойств сегнетоэлектрических пленок. Показана температурная стабильность и устойчивость в поведении вольтфарадных характеристик МДП-структур от числа циклов переключения.