Особенности теплопереноса в гетероструктурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/GaN на сапфире

Измерена теплопроводность тонких слоев гетероструктур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/GaN (0.05 $\le x\le$ 1) на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Получены значения теплопроводности тонких пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N и GaN при комнатной температуре. Концентрационная зависимость теплопроводности проанализирована с использованием модели теплопроводности виртуального кристалла. Проведено численное моделирование теплопереноса в структуре при нагреве в локальной области и предложены оптимальные размеры толщин слоев структуры для достижения высокой величины теплопроводности.