Эффект модификации вклада термоэмиссии локализованных зарядов в релаксацию фотоотклика монокристалла TlGaSe$_{2}$

Представлены результаты исследования особенностей процессов термоэмиссии с центров локализации зарядов в электрически неоднородном кристалле TlGaSe$_{2}$. Неоднородности формировались предварительной поляризацией образца при низкой температуре сегнетоэлектрического состояния кристалла. Результаты хорошо согласуются с особенностями регистрации тепловой эмиссии локализованных зарядов на TlInS$_{2}$ в области температуры сегнетоэлектрического состояния кристалла.