|
Сегнетоэлектричество
Об аномальном влиянии внешнего электрического поля на фазовый переход второго рода в тонкой сегнетоэлектрической пленке
В. Н. Нечаев, А. В. Шуба Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия им. профессора Н. Е. Жуковского и Ю. А. Гагарина", г. Воронеж
Аннотация:
В рамках феноменологической теории Ландау–Гинзбурга–Девоншира исследованы особенности фазового перехода в тонкой сегнетоэлектрической пленке во внешнем электрическом поле в зависимости от толщины пленки и типа закрепления поляризации на ее поверхности. Обнаружено, что в электрическом поле изменяется механизм фазового перехода. Помимо специфического размытия, отличающегося от размытия в объемном материле появлением вблизи $T_{C}$ температурного интервала с аномально высокой диэлектрической восприимчивостью, фазовый переход смещается по температуре, причем величина смещения зависит от толщины пленки, свойств ее поверхности и в слабых полях не зависит от напряженности поля.
Ключевые слова:
фазовый переход, сегнетоэлектрическая пленка, электрический потенциал, внешнее электрическое поле.
Поступила в редакцию: 27.08.2019 Исправленный вариант: 12.11.2019 Принята в печать: 25.12.2019
Образец цитирования:
В. Н. Нечаев, А. В. Шуба, “Об аномальном влиянии внешнего электрического поля на фазовый переход второго рода в тонкой сегнетоэлектрической пленке”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 567–573; Phys. Solid State, 62:4 (2020), 653–659
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8449 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i4/p567
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 14 |
|