Об аномальном влиянии внешнего электрического поля на фазовый переход второго рода в тонкой сегнетоэлектрической пленке

В рамках феноменологической теории Ландау–Гинзбурга–Девоншира исследованы особенности фазового перехода в тонкой сегнетоэлектрической пленке во внешнем электрическом поле в зависимости от толщины пленки и типа закрепления поляризации на ее поверхности. Обнаружено, что в электрическом поле изменяется механизм фазового перехода. Помимо специфического размытия, отличающегося от размытия в объемном материле появлением вблизи $T_{C}$ температурного интервала с аномально высокой диэлектрической восприимчивостью, фазовый переход смещается по температуре, причем величина смещения зависит от толщины пленки, свойств ее поверхности и в слабых полях не зависит от напряженности поля.