Аннотация:
В рамках феноменологической теории Ландау–Гинзбурга–Девоншира исследованы особенности фазового перехода в тонкой сегнетоэлектрической пленке во внешнем электрическом поле в зависимости от толщины пленки и типа закрепления поляризации на ее поверхности. Обнаружено, что в электрическом поле изменяется механизм фазового перехода. Помимо специфического размытия, отличающегося от размытия в объемном материле появлением вблизи TC температурного интервала с аномально высокой диэлектрической восприимчивостью, фазовый переход смещается по температуре, причем величина смещения зависит от толщины пленки, свойств ее поверхности и в слабых полях не зависит от напряженности поля.
Образец цитирования:
В. Н. Нечаев, А. В. Шуба, “Об аномальном влиянии внешнего электрического поля на фазовый переход второго рода в тонкой сегнетоэлектрической пленке”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 567–573; Phys. Solid State, 62:4 (2020), 653–659
\RBibitem{NecShu20}
\by В.~Н.~Нечаев, А.~В.~Шуба
\paper Об аномальном влиянии внешнего электрического поля на фазовый переход второго рода в тонкой сегнетоэлектрической пленке
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 4
\pages 567--573
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8449}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2020.04.49122.574}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776782}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2020
\vol 62
\issue 4
\pages 653--659
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783420040162}
Цитирование в формате AMSBIB
Обратная связь: