Электронная структура и нелинейная диэлектрическая восприимчивость $\gamma$-фазы оксида теллура

Теоретически с использованием неэмпирических квантово-механических расчетов изучены структурные, электронные и нелинейные оптические свойства кристалла $\gamma$-TeO$_{2}$. Учет локализации электронов на 5$d$-орбитали проведен с использованием поправок Хаббарда к функционалу плотности (приближение LDA + U). Использование такого подхода позволило достаточно точно воспроизвести экспериментальные структурные параметры. Электронная структура изучена с использованием квазичастичного приближения $G_0W_{0}$, зарекомендовавшим себя как один из наиболее точных методов расчета зонной структуры. Установлено, что кристалл $\gamma$-TeO$_{2}$ представляет собой широкозонный полупроводник с непрямым оптическим переходом. При помощи максимально локализованных функций Ванье выполнен анализ химической связи в этом оксиде и показано, что валентные электроны атомов кислорода находятся в sp$^3$ гибридизации, а валентность атомов теллура равна четырем.