|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Системы низкой размерности
Наноструктуры AlN и GaN: аналитические оценки характеристик электронного спектра
С. Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Для бесконечных плоских листов, свободных и декорированных нанолент с зигзагообразными кромками и цепочек нитридов алюминия и галлия получены аналитические выражения для ширин запрещенных зон, характерных скоростей и эффективных масс носителей заряда. Полученные значения сравниваются с вычисленными в рамках тех же моделей характеристиками для наноструктур карбида кремния и углерода. Кратко обсуждается также роль подложки.
Ключевые слова:
двумерный лист, нанолента, линейная цепочка, ширина запрещенной зоны, характерная скорость и эффективная масса электрона.
Поступила в редакцию: 20.01.2020 Исправленный вариант: 20.01.2020 Принята в печать: 21.01.2020
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, “Наноструктуры AlN и GaN: аналитические оценки характеристик электронного спектра”, Физика твердого тела, 62:6 (2020), 955–959; Phys. Solid State, 62:6 (2020), 1085–1089
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8411 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i6/p955
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 13 |
|