Дифракция плоской электромагнитной волны на микрошаре из VO$_{2}$ в области фазового перехода

Приводятся результаты исследования дифракции и распределение электромагнитного (ЭМ) поля в шаре из диоксида ванадия (VO$_{2}$) до и после фазового перехода металл-полупроводник (ФПМП). В результате расчетов показано, что после точки фазового перехода в VO$_{2}$ $(T>T_{c})$ излучение ЭМ-волны практически не проходит внутрь микрошара, а почти полностью отражается от него и рассеивается, что связано с резким увеличением мнимой части диэлектрической проницаемости микрошара и переходом VO$_{2}$ в металлическое состояние, и соизмеримостью длины излучения ЭМ волны с радиусом шара. Также выявлено, что интенсивность излучения на расстоянии в 2$R$ от поверхности шара резко уменьшается, что связано с интерференцией волн за шаром (область тени). Из проведенного моделирования дифракции и распределения ЭМ-поля в микрошаре можно предложить новый метода исследования фазовых переходов типа ФПМП.