Мемристоры на основе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$

Изучены мемристивные свойства слоистых конденсаторных структур на основе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ и LiNbO$_{3}$ с толщинами 10 и 40 nm, соответственно. Впервые продемонстрирован резкий переход от одно- к многофиламентному механизму резистивного переключения, возникающий при увеличении содержания металлической фазы в нанокомпозите, который объяснен на основе ранее предложенной модели. Ключевые слова: мемристор, эффект резистивного переключения, нанокомпозит металл-оксид.