Аннотация:
Разработаны, изготовлены и экспериментально исследованы в THz диапазоне частот болометры на основе структуры сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник с подвешенным над подложкой поглотителем (абсорбером). В таких структурах, в отличие от ранее исследуемых болометров с абсорбером, находящимся непосредственно на подложке, реализуется болометрический режим работы приемника, т. е. возбуждается более одного электрона на один квант излучения (квантовая эффективность больше 1). В исследуемых болометрах удалось достичь квантовой эффективности 15 электронов на квант излучения с частотой 350 GHz.
Ключевые слова:
болометр, болометр на холодных электронах, болометр на основе СИНИС структуры, квантовая эффективность, флуктуационная чувствительность.
Образец цитирования:
Р. А. Юсупов, А. А. Гунбина, А. М. Чекушкин, Д. В. Нагирная, С. А. Лемзяков, В. С. Эдельман, М. А. Тарасов, “Квантовый отклик болометра на основе структуры СИНИС с подвешенным абсорбером”, Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1403–1406; Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1567–1570