Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 9, страницы 1403–1406
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2020.09.49761.11H (Mi ftt8309) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXIV Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Сверхпроводимость

Квантовый отклик болометра на основе структуры СИНИС с подвешенным абсорбером

Р. А. Юсуповa, А. А. Гунбинаbc, А. М. Чекушкинa, Д. В. Нагирнаяa, С. А. Лемзяковde, В. С. Эдельманd, М. А. Тарасовa

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
c Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
d Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
e Московский физико-технический институт, Московская облаcть, г. Долгопрудный
PDF полного текста (1443 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2020.09.49761.11H
Аннотация: Разработаны, изготовлены и экспериментально исследованы в THz диапазоне частот болометры на основе структуры сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник с подвешенным над подложкой поглотителем (абсорбером). В таких структурах, в отличие от ранее исследуемых болометров с абсорбером, находящимся непосредственно на подложке, реализуется болометрический режим работы приемника, т. е. возбуждается более одного электрона на один квант излучения (квантовая эффективность больше 1). В исследуемых болометрах удалось достичь квантовой эффективности 15 электронов на квант излучения с частотой 350 GHz.
Ключевые слова: болометр, болометр на холодных электронах, болометр на основе СИНИС структуры, квантовая эффективность, флуктуационная чувствительность.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0030-2019-0003
Работа выполнена в рамках государственного задания ИРЭ РАН (№ 0030-2019-0003).
Поступила в редакцию: 26.03.2020
Исправленный вариант: 26.03.2020
Принята в печать: 02.04.2020
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2020, Volume 62, Issue 9, Pages 1567–1570
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378342009036X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Юсупов, А. А. Гунбина, А. М. Чекушкин, Д. В. Нагирная, С. А. Лемзяков, В. С. Эдельман, М. А. Тарасов, “Квантовый отклик болометра на основе структуры СИНИС с подвешенным абсорбером”, Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1403–1406; Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1567–1570
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YusGunChe20}
\by Р.~А.~Юсупов, А.~А.~Гунбина, А.~М.~Чекушкин, Д.~В.~Нагирная, С.~А.~Лемзяков, В.~С.~Эдельман, М.~А.~Тарасов
\paper Квантовый отклик болометра на основе структуры СИНИС с подвешенным абсорбером
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 9
\pages 1403--1406
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8309}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2020.09.49761.11H}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154221}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2020
\vol 62
\issue 9
\pages 1567--1570
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378342009036X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8309
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i9/p1403
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024