|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XXIV Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Металлы
Параметры туннельного барьера сверхпроводниковых структур на основе ниобия
М. Е. Парамонов, Л. В. Филиппенко, П. Н. Дмитриев, М. Ю. Фоминский, А. Б. Ермаков, В. П. Кошелец Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
Аннотация:
Проведена оценка основных параметров туннельного барьера джозефсоновских переходов Nb/AlO$_{x}$/Nb и Nb/AlN/Nb в широком диапазоне значений плотностей тока с использованием метода Симмонса. Экспериментально определены зависимости высоты и ширины туннельного барьера от удельного сопротивления для каждого типа переходов. Снижение высоты туннельного барьера перехода с прослойкой из AlN на 0.3 eV, по сравнению с оксидным, позволяет получать переходы с плотностью тока выше 15 kA/cm$^{2}$ при технологически достижимой толщине изоляционного слоя порядка 10 $\mathring{\mathrm{A}}$, что дает возможность реализовывать параметр качества $R_{j}/R_{n}$ не ниже 25.
Ключевые слова:
сверхпроводимость, сверхпроводниковый туннельный переход, параметры туннельного барьера, метод Симмонса, приемные устройства терагерцового диапазона.
Поступила в редакцию: 26.03.2020 Исправленный вариант: 26.03.2020 Принята в печать: 02.04.2020
Образец цитирования:
М. Е. Парамонов, Л. В. Филиппенко, П. Н. Дмитриев, М. Ю. Фоминский, А. Б. Ермаков, В. П. Кошелец, “Параметры туннельного барьера сверхпроводниковых структур на основе ниобия”, Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1370–1374; Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1534–1538
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8303 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i9/p1370
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 12 |
|