Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок тиофен-фенилен со-олигомеров на поверхности поликристаллического золота

Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше уровня Ферми ультратонких пленок диметил-замещенных тиофен-фенилен со-олигомеров СH$_{3}$-фенилен-тиофен-тиофен-фенилен-СH$_{3}$ (СH$_{3}$-PTTP-CH$_{3}$) на два вида поверхности поликристаллического золота: ex situ Au слоя, термически осажденного в отдельной камере, и на поверхности in situ Au, приготовленной внутри аналитической камеры. Исследования структуры пленок проводили методом дифракции рентгеновских лучей (X-ray diffraction, XRD). Обсуждается формирование суперпозиции аморфной фазы и кристаллической с периодом 3.8 nm. Исследования энергетического расположения максимумов незаполненных электронных состояний и характера формирования пограничного потенциального барьера проводили методом спектроскопии полного тока (СПТ). Структура максимумов ТССПТ пленки СH$_{3}$-PTTP-СH$_{3}$ толщиной 5–7 nm не отличалась при использовании разных видов Au подложек и поверхности полупроводника ZnO, приготовленной методом молекулярного наслаивания (atomic layer deposition, ALD). При осаждении слоя СH$_{3}$-PTTP-СH$_{3}$ как на поверхность ex situ Au, так и на поверхность in situ Au наблюдалось незначительное, около 0.1 eV, повышение электронной работы выхода с увеличением толщины покрытия до 5–7 nm. При таких толщинах пленок СH$_{3}$-PTTP-СH$_{3}$ значения электронной работы выхода составили 4.7 $\pm$ 0.1 eV в случае подложки ex situ Au и 4.9 $\pm$ 0.1 eV в случае подложки in situ Au. Обсуждается возможное влияние процессов физико-химического взаимодействия на границе пленки и подложки на формирование пограничного потенциального барьера в исследованных структурах.