|
Полупроводники
Рассеяние электронов и дырок глубокими примесями в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
Ю. А. Померанцев Воронежский государственный педагогический университет
Аннотация:
Исследовано рассеяние электронов и дырок системой глубоких примесей в полупроводниковых гетероструктурах на основе арсенида галлия с двумя квантовыми ямами в приближении предельно локализованного потенциала при произвольном профиле легирования. Показано, что зависимости вероятностей рассеяния в единицу времени для электронов и дырок от энергии носителя повторяют кусочно-постоянный вид плотности состояний подзон размерного квантования гетероструктуры с учетом вклада интеграла перекрытия волновых функций носителя. Для дырочных подзон с отрицательной эффективной массой вероятности рассеяния в единицу времени у краев подзон имеют сингулярности, характерные для одномерных систем.
Ключевые слова:
полупроводниковые гетероструктуры, глубокие примеси, эффективная масса электрона, короткодействующий потенциал примеси.
Поступила в редакцию: 17.04.2020 Исправленный вариант: 17.04.2020 Принята в печать: 02.06.2020
Образец цитирования:
Ю. А. Померанцев, “Рассеяние электронов и дырок глубокими примесями в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1601–1605; Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1769–1773
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8279 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i10/p1601
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 13 |
|