Аннотация:
Профили распределения ионов Si+ по глубине монокристаллического кремния рассчитаны методом молекулярной динамики. Неупругие потери энергии при торможении определены в рамках теории функционала электронной плотности. Выполнен анализ факторов, оказывающих влияние на процесс каналирования ионов. В частности, подтверждено существование “эффекта массы” для критического угла каналирования.
Образец цитирования:
А. Б. Свечников, “Каналирование медленных ионов в монокристаллическом кремнии”, Физика твердого тела, 62:12 (2020), 2047–2054; Phys. Solid State, 62:12, 2293–2300
\RBibitem{Sve20}
\by А.~Б.~Свечников
\paper Каналирование медленных ионов в монокристаллическом кремнии
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 12
\pages 2047--2054
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8219}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2020.12.50208.135}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44821341}
\transl
\jour Phys. Solid State
\vol 62
\issue 12
\pages 2293--2300
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783420120276}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8219
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i12/p2047
Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
Shiva Choupanian, Wolfhard Möller, Martin Seyring, Claudia Pacholski, Elke Wendler, Andreas Undisz, Carsten Ronning, “Ion Irradiation‐Induced Sinking of Ag Nanocubes into Substrates”, Adv Materials Inter, 11:1 (2024)