|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
Каналирование медленных ионов в монокристаллическом кремнии
А. Б. Свечников Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
Аннотация:
Профили распределения ионов Si$^{+}$ по глубине монокристаллического кремния рассчитаны методом молекулярной динамики. Неупругие потери энергии при торможении определены в рамках теории функционала электронной плотности. Выполнен анализ факторов, оказывающих влияние на процесс каналирования ионов. В частности, подтверждено существование “эффекта массы” для критического угла каналирования.
Ключевые слова:
каналирование ионов, молекулярная динамика, торможение.
Поступила в редакцию: 22.06.2020 Исправленный вариант: 22.06.2020 Принята в печать: 06.08.2020
Образец цитирования:
А. Б. Свечников, “Каналирование медленных ионов в монокристаллическом кремнии”, Физика твердого тела, 62:12 (2020), 2047–2054; Phys. Solid State, 62:12, 2293–2300
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8219 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i12/p2047
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 22 |
|